[发明专利]一种制备双面N型晶硅电池的掩膜扩散方法

摘要

本发明提供了一种制备双面N型晶硅电池的掩膜扩散方法，是在硼扩散过程中，首先对硼扩散面上形成的硼硅玻璃层进行氧化处理，再在硼硅玻璃层上沉积形成氮化硅层；利用硼硅玻璃和氮化硅层作为磷扩散的掩膜，用于防止两次扩散之间的相互掺杂。电池采用经过氧化处理的硼硅玻璃层和致密的氮化硅层叠层薄膜充当后续磷扩散的扩散掩蔽层，减少了制程中多次刻蚀和掩膜沉积的过程。在制备工艺中对硼扩散推进完毕后的在硼发射极表面形成的硼硅玻璃层进行氧化处理，可降低硅与硼硅玻璃层界面处的Si－B键的密度，有利于后续酸处理去除硼硅玻璃，形成疏水表面，有利于提高电池的开路电压；本发明可大大简化工艺，提高了生产效率，降低生产工艺成本。

主权项

一种制备双面N型晶硅电池的掩膜扩散方法，其特征在于：在硼扩散过程中，首先对硼扩散面上形成的硼硅玻璃层进行氧化处理，再在硼硅玻璃层上沉积形成氮化硅层；利用硼硅玻璃和氮化硅层作为磷扩散的掩膜，用于防止两次扩散之间的相互掺杂。