[发明专利]基于纤维的非易失性存储器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201510564034.8 | 申请日： | 2015-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN105261700B | 公开（公告）日： | 2018-05-01 |
| 发明（设计）人： | 孙志刚;李月仇;庞雨雨;何雄 | 申请（专利权）人： | 武汉理工大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;B82Y40/00;B82Y10/00 |
| 代理公司： | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司42102 | 代理人： | 崔友明 |
| 地址： | 430070 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于纤维的非易失性存储器件及其制备方法，该方法包括(1)电子束蒸镀制备底电极，(2)静电纺丝方法在底电极上制备纳米纤维，(3)退火处理后在纳米纤维两端引出顶电极即得。湿度环境中该纳米纤维存储器件具有良好的电致电阻性能。在纤维表面滴加金属盐溶液并进行干燥处理，处理后的存储器件在湿度环境中的电学测试结果表明其电致电阻效应是有序电流丝的产生和断裂以及场致离子迁移共同作用的结果。本发明的纤维存储器件具有更高的集成度、更好的重复性和生物兼容性，在模拟神经网络和非易失性存储器领域具有巨大的应用潜力。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 纤维 非易失性存储器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
基于纳米纤维的非易失性存储器件，其特征在于包括基板、底电极、纳米纤维和顶电极，所述底电极位于基板表面，所述纳米纤维的两端通过顶电极与底电极相连接，所述底电极为Pt/Ag电极矩阵，所述纳米纤维制备好后还滴加了Ag、Zn、Cu、Mg、Fe的硝酸盐或硫酸盐溶液并进行了干燥处理。
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