[发明专利]形成具有隐埋腔和介电支持结构的半导体衬底的方法

摘要

本公开涉及形成具有隐埋腔和介电支持结构的半导体衬底的方法。具体地，公开了一种用于形成半导体器件的方法，包括形成从半导体衬底的第一表面延伸到半导体衬底中的多个沟槽。每一个沟槽都包括与宽部开放连通的窄部，宽部通过窄部与第一表面隔开。相邻沟槽的窄部通过半导体衬底的第一区域横向隔开。相邻沟槽的宽部通过半导体衬底的第二区域横向隔开，第二区域窄于第一区域。该方法还包括通过沟槽的窄部向沟槽的宽部引入氧化剂以氧化相邻沟槽之间的半导体衬底的第二区域，从而形成支持半导体衬底的第一区域的介电支持结构。

主权项

1.一种用于形成半导体器件的方法，所述方法包括：形成从半导体衬底的第一表面延伸到所述半导体衬底中的多个沟槽，每个沟槽均包括与宽部开放连通的窄部，所述宽部通过所述窄部与所述第一表面隔开，相邻沟槽的窄部通过所述半导体衬底的第一区域横向隔开，相邻沟槽的宽部通过所述半导体衬底的第二区域横向隔开，所述第二区域窄于所述第一区域，所述半导体衬底的所述第一区域和所述第二区域包括相同的半导体材料；以及通过所述沟槽的窄部向所述沟槽的宽部引入氧化剂以氧化面向所述第一区域的所述窄部中的沟槽的侧壁并氧化面向所述第二区域的所述宽部中的沟槽的侧壁，所述宽部中的氧化的侧壁形成支持所述半导体衬底的所述第一区域的介电支持结构；从所述窄部中的沟槽的侧壁去除氧化物；以及在去除所述氧化物之后利用半导体材料封闭所述沟槽。