[发明专利]具有包括埋入部分的控制结构的半导体器件及制造方法有效
| 申请号： | 201510564952.0 | 申请日： | 2015-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN105405868B | 公开（公告）日： | 2018-08-17 |
| 发明（设计）人： | R.巴布尔斯克;M.戴内塞;J.G.拉文;P.莱希纳;H-J.舒尔策 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/772;H01L21/74;H01L21/334 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 申屠伟进;王传道 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 德国;DE |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及具有包括埋入部分的控制结构的半导体器件及制造方法。一种半导体器件包括具有第一导电类型的源极区和第二导电类型的本体区的晶体管单元。源极区和本体区形成在由半导体本体的一部分形成的半导体台面中。控制结构包括在半导体台面的至少两个相对侧上延伸到半导体本体中的第一部分、第一部分之间的距第一表面一定距离的第二部分、以及距第一表面一定距离并且连接第一部分和第二部分的第三部分，其中半导体台面的收缩区段形成在相邻的第三部分之间。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 包括 埋入 部分 控制 结构 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：晶体管单元，包括第一导电类型的源极区和第二导电类型的本体区，其中所述源极区和本体区形成在由半导体本体的一部分形成的半导体台面中；以及控制结构，所述控制结构包括在所述半导体台面的至少两个相对侧上从第一表面延伸到所述半导体本体中的第一部分、所述第一部分之间的距第一表面一定距离并且通过部分所述半导体台面与所述第一表面分离并且与所述第一部分分离的第二部分、以及距所述第一表面一定距离、连接所述第一部分和所述第二部分并且通过部分所述半导体台面与所述第一表面分离的第三部分，其中所述半导体台面的收缩区段分离沿着所述半导体台面的水平纵向延伸而彼此相邻的第三部分。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英飞凌科技股份有限公司，未经英飞凌科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510564952.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：浅沟槽结终端扩展结构
- 下一篇：交叉矩阵列式磁性随机存储器及其读写方法
- 同类专利
- 专利分类
