[发明专利]一种半导体元件及其制备方法有效
| 申请号： | 201510564961.X | 申请日： | 2015-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN105261681B | 公开（公告）日： | 2019-02-22 |
| 发明（设计）人： | 周圣伟;卓昌正;林兓兓;张家宏 | 申请（专利权）人： | 安徽三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/04 | 分类号： | H01L33/04;H01L33/12 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 241000 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种半导体元件，包括具有AlxN1‑x层和AlyO1‑y层（0＜x＜1，0＜y＜1）的超晶格结构缓冲层，所述超晶格结构缓冲层在芯片制程的侧壁腐蚀过程中，可减小化学溶液的腐蚀程度，提高芯片良率。同时提出一种制备方法，制备该超晶格结构缓冲层，实现本发明效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 元件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体元件，包括：衬底、缓冲层、N型半导体层、发光层和P型半导体层，其特征在于：所述缓冲层为包括AlxN1‑x层和AlyO1‑y层，0＜x＜1，0＜y＜1，循环层叠的超晶格结构层，所述超晶格结构层的第一个循环中所述AlyO1‑y层置于所述AlxN1‑x层之上，所述超晶格结构层在芯片制程的侧壁腐蚀过程中，用于减小化学溶液的腐蚀程度，提高芯片良率。
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