[发明专利]一种采用激光直写制备薄膜降反结构的方法

摘要

本发明提供一种采用激光直写制备薄膜降反结构的方法，其中所使用的材料为聚苯乙烯/多晶硅复合薄膜。该方法包括以下步骤步骤1)选取基底，对其进行清洗和干燥处理；步骤2)采用甩胶机对聚苯乙烯甲苯溶液进行均匀旋涂，干燥后获得纯净平整的聚苯乙烯薄膜；步骤3)在聚苯乙烯薄膜上继续采用物理气相沉积工艺镀制一层多晶硅薄膜；步骤4)使用激光在所制备的薄膜上进行照射刻写，使刻写部分的薄膜出现微凸起结构阵列。由该方法所获得的微凸起结构特征尺寸在100nm‑2um，对可见光减反射率达到30％。本发明具有工艺简单可控、产品尺寸形貌均一、成本低廉，修改设计灵活，与现有平面工艺兼容等优点，可广泛应用于各种减反表面器件。

主权项

一种采用激光直写制备薄膜降反结构的方法，其包括以下步骤：步骤1)：选取基底，对其进行清洗和干燥处理；步骤2)：采用甩胶机对聚苯乙烯甲苯溶液进行均匀旋涂，干燥后获得纯净平整的聚苯乙烯薄膜；步骤3)：在聚苯乙烯薄膜上继续采用物理气相沉积工艺镀制一层多晶硅薄膜；步骤4)：使用激光在所制备的薄膜上进行照射刻写，使刻写部分的薄膜出现微凸起结构阵列。