[发明专利]单芯片三轴各向异性磁阻传感器制作方法在审

专利信息
申请号: 201510567197.1 申请日: 2015-09-08
公开(公告)号: CN105261699A 公开(公告)日: 2016-01-20
发明(设计)人: 陈雪平;闻永祥;刘琛;孙福河 申请(专利权)人: 杭州士兰集成电路有限公司
主分类号: H01L43/08 分类号: H01L43/08;H01L43/12;H01L27/22
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 余毅勤
地址: 310018 浙江省杭州市杭*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明提供了一种单芯片三轴各向异性磁阻传感器制作方法,在衬底中形成具有倾斜侧壁的凹槽,并在所述凹槽的侧壁上形成Z轴磁阻条和Z轴短路电极,在所述衬底的平面上形成X、Y轴磁阻条和X、Y轴短路电极,如此将X、Y、Z轴磁感测元件集成在一个芯片上,结构简单,Z轴磁感测元件无需垂直封装,易于制造,成本较低,并且和传统的微电子工艺兼容性好,适合大批量工业化生产,具有广泛的应用性。
搜索关键词: 芯片 各向异性 磁阻 传感器 制作方法
【主权项】:
一种单芯片三轴各向异性磁阻传感器的制作方法,其特征在于,包括:提供一包括X轴区域、Y轴区域、Z轴区域的衬底;在所述衬底的Z轴区域中形成凹槽,所述凹槽具有倾斜的侧壁;形成绝缘层,所述绝缘层覆盖所述衬底及凹槽;形成磁阻条,所述磁阻条包括形成于所述X轴区域上的X轴磁阻条、形成于所述Y轴区域上的Y轴磁阻条、以及形成于所述凹槽至少一个侧壁上的Z轴磁阻条;形成短路电极和金属连线,所述短路电极包括形成于所述X轴磁阻条上并与其交叉的X轴短路电极、形成于所述Y轴磁阻条上并与其交叉的Y轴短路电极、以及形成于所述Z轴磁阻条上并与其交叉的Z轴短路电极,所述金属连线包括连接相邻的X轴磁阻条的X轴金属连线、连接相邻的Y轴磁阻条的Y轴金属连线以及连接相邻的Z轴磁阻条的Z轴金属连线;形成隔离层,所述隔离层覆盖所述短路电极、金属连线以及绝缘层,所述隔离层中形成有通孔;形成置位‑复位电流带,所述置位‑复位电流带形成于所述隔离层上并垂直于所述X轴磁阻条、Y轴磁阻条和Z轴磁阻条,所述置位‑复位电流带通过所述通孔与所述X轴磁阻条、Y轴磁阻条和Z轴磁阻条电连接;形成钝化层,所述钝化层覆盖所述隔离层,所述钝化层中形成有暴露所述置位‑复位电流带的压焊窗口。
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