[发明专利]处理装置及处理液的再利用方法有效
| 申请号： | 201510567320.X | 申请日： | 2015-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN105428274B | 公开（公告）日： | 2019-01-01 |
| 发明（设计）人： | 平川雅章;松井绘美 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 白丽 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供处理装置及处理液的再利用方法。本实施方式的处理装置具备透析部、处理部和回收部。所述透析部对含有磷酸、硅化合物和水的溶液进行透析。所述处理部使用经所述透析的溶液进行被处理物的处理。所述回收部对在所述被处理物的处理中使用的溶液进行回收并供给至所述透析部。所述透析部具有使阴离子透过的透过部。所述回收部将在所述被处理物的处理中使用的溶液供给至通过所述透过部划分开的所述透析部内的区域。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 再利用 方法 | ||
【主权项】：
1.一种处理装置，其具备：对含有磷酸、硅化合物和水的溶液进行透析的透析部；使用经所述透析的溶液进行被处理物的处理的处理部；将在所述被处理物的处理中使用过的溶液进行回收并供给至所述透析部的回收部；以及对所述透析中使用的溶液按照温度达到80℃以上的方式进行控制的第1温度控制部，其中，所述透析部具有使阴离子透过的透过部，所述回收部将在所述被处理物的处理中使用过的溶液供给至通过所述透过部划分开的所述透析部内的区域。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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