[发明专利]生成参数图案的方法，离子注入方法和前馈半导体制造方法有效
| 申请号： | 201510569374.X | 申请日： | 2015-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN105931939B | 公开（公告）日： | 2018-05-04 |
| 发明（设计）人： | 吴政达;吴宗翰;许耀文;谭伦光;游伟明;王廷君 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/317 | 分类号： | H01J37/317;H01J37/304;H01L21/265;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种用于生成参数图案的方法，包括在工件的表面上的多个区域上实施多个测量，以获得多个测量结果；以及根据多个测量结果，通过计算机导出参数图案；其中，参数图案包括与工件的表面上的多个区域中的每个对应的多个区域性参数值。本发明提供了一种前馈半导体制造方法，包括在工件的表面上形成具有期望的图案的层；根据针对具有期望的图案的层的空间维度测量来导出包括参数图案的控制信号，期望的图案分布在工件的表面的多个区域上方；以及根据控制信号，在工件的表面上实施离子注入。本发明还涉及生成参数图案的方法，离子注入方法和前馈半导体制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 生成 参数 图案 方法 离子 注入 半导体 制造 | ||
【主权项】：
一种用于生成参数图案的方法，包括：在工件的表面上对N×X区域上实施N×X次测量，以获得N×X个测量结果，其中，所述N×X区域中的每个具有第一尺寸；以及根据所述N×X个测量结果，通过计算机导出对应于所述工件的表面上的X个区域的参数图案，其中，所述X个区域中的每个具有第二尺寸，所述第二尺寸大于所述第一尺寸，并且所述X个区域的每个包括所述N×X区域中的N个；其中，所述参数图案包括X个区域性参数值，其中，所述X个区域性参数值的每个对应于所述N×X个测量结果中对所述工件的表面上的彼此相邻的N个区域进行测量得到的N个测量结果的平均值。
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