[发明专利]白光LED直接贴片式的封装结构

摘要

本发明涉及一种封装结构，尤其是一种白光LED直接贴片式的封装结构，属于LED封装的技术领域。按照本发明提供的技术方案，所述白光LED直接贴片式的封装结构，包括散热底板，在散热底板的正上方设有白光LED芯片，所述白光LED芯片倒置在散热底板的上方；所述白光LED芯片包括LED蓝光芯片以及位于所述LED蓝光芯片背面的单晶荧光片，所述单晶荧光片采用Ce:YAG单晶荧光片；LED蓝光芯片的P型电极、N型电极与散热底板上的电极导电层接触并电连接。本发明结构紧凑，能大大提高出光效率，封装成本低，安全可靠。

主权项

1.一种白光LED直接贴片式的封装结构，包括散热底板（12），在散热底板（12）的正上方设有白光LED芯片（10），所述白光LED芯片（10）倒置在散热底板（12）的上方；所述白光LED芯片（10）包括LED蓝光芯片以及位于所述LED蓝光芯片背面的单晶荧光片（9），LED蓝光芯片的P型电极（6）、N型电极（7）与散热底板（12）上的电极导电层（11）接触并电连接；其特征是：所述单晶荧光片（9）采用Ce:YAG单晶荧光片；所述LED蓝光芯片包括蓝宝石衬底（1），单晶荧光片（9）通过有机透明胶层（8）粘附于蓝宝石衬底（1）的背面，所述单晶荧光片（9）的发光波段为520nm~600nm；在所述白光LED芯片（10）的外侧壁上涂覆有环氧树脂（13），且在所述白光LED芯片（10）上罩上玻璃透镜（14）；所述玻璃透镜（14）呈喇叭状；在蓝宝石衬底（1）与P型电极（6）间依次设有N型GaN层（2）、有源层（3）、P型GaN层（4）以及ITO透明导电膜（5），P型电极（6）与ITO透明导电膜（5）接触并电连接，N型GaN层（2）覆盖在蓝宝石衬底（1）的正面，N型电极（7）与有源层（3）连接；对单晶荧光片（9）进行单面或双面抛光，单晶荧光片（9）的厚度为0.3mm~0.4mm。