[发明专利]高电子迁移率晶体管的制造方法

摘要

本发明得到一种高电子迁移率晶体管的制造方法，其能够抑制在GaN沟道层的表面处的损坏、陷阱等，提高设备特性。在Si衬底(1)上，以第1生长条件形成GaN沟道层(3)。在GaN沟道层(3)上，一边从第1生长条件变化为第2生长条件，一边形成GaN转变层(4)。在GaN转变层(4)上，以第2生长条件形成AlGaN电子供给层(5)。不进行生长中断而连续地形成GaN沟道层(3)、GaN转变层(4)、以及AlGaN电子供给层(5)。

主权项

一种高电子迁移率晶体管的制造方法，其特征在于，具备下述工序：在半绝缘性衬底上，以第1生长条件形成GaN沟道层；在所述GaN沟道层上，一边从所述第1生长条件变化为第2生长条件，一边形成转变层；以及在所述转变层上，以所述第2生长条件形成AlGaN电子供给层，在该高电子迁移率晶体管的制造方法中，不进行生长中断而连续地形成所述GaN沟道层、所述转变层、以及所述AlGaN电子供给层。