[发明专利]制造相变化记忆体的方法有效
| 申请号： | 201510571956.1 | 申请日： | 2015-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN105261701B | 公开（公告）日： | 2017-12-08 |
| 发明（设计）人： | 陶义方 | 申请（专利权）人： | 江苏时代全芯存储科技有限公司;英属维京群岛商时代全芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 223001 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种制造相变化记忆体的方法，包含(i)在半导体基材上形成介电层以及贯穿介电层的导电接触结构；(ii)移除导电接触结构的一部分，以在介电层中形成第一凹口，其中导电接触结构的剩余部分构成第一凹口的底部；(iii)形成第一电极于第一凹口内，其中第一电极位于导电接触结构的剩余部分上，第一凹口的剩余空间定义出第二凹口；(iv)在第二凹口中形成加热元件以及填充结构，其中加热元件从第一电极向上延伸，且加热元件的顶部露出填充结构；以及(v)在加热元件以及填充结构上形成相变化元件以及第二电极。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 相变 记忆体 方法 | ||
【主权项】：
一种制造相变化记忆体的方法，其特征在于，包含以下操作：在一半导体基材上形成一介电层以及贯穿该介电层的至少一导电接触结构；移除该导电接触结构的一部分，以在该介电层中形成一第一凹口，其中该导电接触结构的一剩余部分构成该第一凹口的底部；形成一第一电极于该第一凹口内，其中该第一电极位于该导电接触结构的该剩余部分上，该第一凹口的剩余空间定义出一第二凹口，其中形成该第一电极于该第一凹口内的操作包含：沉积一第一电极材料层于该介电层上，并填充该第一凹口；使用一化学机械研磨工序移除位于该第一凹口外的该第一电极材料层；以及使用一蚀刻工序移除该第一凹口内一部分的该第一电极材料层，而形成该第一电极；以及在该第二凹口中形成一加热元件以及一填充结构，其中该加热元件从该第一电极向上延伸，且该加热元件的一顶部露出该填充结构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江苏时代全芯存储科技有限公司;英属维京群岛商时代全芯科技有限公司，未经江苏时代全芯存储科技有限公司;英属维京群岛商时代全芯科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510571956.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
