[发明专利]一种横向恒流二极管及其制造方法在审
| 申请号： | 201510572141.5 | 申请日： | 2015-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN105047724A | 公开（公告）日： | 2015-11-11 |
| 发明（设计）人： | 乔明;张康;代刚;何逸涛;于亮亮;张晓菲 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体功率器件技术领域，具体的说涉及一种横向恒流二极管及其制造方法。本发明所述的横向恒流二极管，其特征在于通过在普通恒流二极管的源极引入负反馈电阻，从而使恒流二极管的特性更加优良。本发明的有益效果为，引入的电阻在器件工作时具有一定压降，使沟道更易夹断，能快速进入恒流区，有效提高横向恒流二极管的击穿电压，使得横向恒流二极管具有较低夹断电压，并有效提高了横向恒流二极管的恒定电流以及有效工作电压范围。本发明尤其适用于横向恒流二极管。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 横向 二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种横向恒流二极管，包括P型衬底(9)和位于P型衬底(9)上层的第一N型阱区(8)；所述第一N型阱区(8)的上层具有第一N型重掺杂区(4)、P型重掺杂区(5)和P型轻掺杂区(6)、第二N型重掺杂区(7)，所述P型重掺杂区(5)和P型轻掺杂区(6)相连接并位于第一N型重掺杂区(4)和第二N型重掺杂区(7)之间，其中P型重掺杂区(5)位于靠近第一N型重掺杂区(4)的一侧；其特征在于，所述P型衬底(9)中还具有第二N型阱区(14)，所述第二N型阱区(14)位于P型衬底上层靠近第一N型重掺杂区(4)的一侧；所述第二N型阱区(14)上层两侧分别具有第三N型重掺杂区(13)和第四N型重掺杂区(3)，所述第四N型重掺杂区(3)位于靠近第一N型重掺杂区(4)的一侧；所述P型衬底(9)的下表面、P型重掺杂区(5)的上表面和第三N型重掺杂区(13)的上表面具有金属阴极(1)；所述第二N型重掺杂区(7)的上表面具有金属阳极(11)；所述第一N型重掺杂区(4)的上表面和第四N型重掺杂区(3)的上表面通过金属电极(12)电气连接；所述金属阴极(1)与金属电极(12)之间的P型衬底(9)上表面和金属阴极(1)与金属阳极(11)之间的P型衬底(9)上表面具有氧化层(2)；所述金属电极(12)与P型衬底(9)上表面之间具有氧化层(2)。
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