[发明专利]单晶硅生长分区式不间断稳定供电技术在审

专利信息
申请号: 201510573050.3 申请日: 2015-09-10
公开(公告)号: CN105262204A 公开(公告)日: 2016-01-20
发明(设计)人: 张俊宝;山田宪治;刘浦锋;宋洪伟;陈猛 申请(专利权)人: 上海超硅半导体有限公司
主分类号: H02J9/06 分类号: H02J9/06;C30B29/06;C30B15/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 201604 上*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供一种提拉法单晶硅生长分区式不间断稳定供电技术。市电与单晶生长炉完全断开,只通过本发明供电技术供电。硅单晶生长炉用电分成直流和交流两个区域,直流区域为加热器和控制系统,交流区域为炉体冷却、晶体旋转、坩埚旋转等辅助系统。本发明主体分成四个部分,第一部分为市电及备用电源输入、整流稳定及充电部分,且通过升压将电压提高12%;第二部分为电池组部分,采用锂离子电池做为长效型电池存储单元;第三部分为直流输出部分,是主功率输出部分,具备电压和电流的双重供电调节能力,分为多级体系,为加热器和控制系统供电;第四部分为交流输出部分,采用逆变器输出,为冷却水等辅助系统供电,稳定性高,电压及频率波动小。
搜索关键词: 单晶硅 生长 分区 不间断 稳定 供电 技术
【主权项】:
一种提拉法单晶硅生长分区式不间断稳定供电技术;市电与单晶生长炉完全断开,只通过本发明供电技术供电;硅单晶生长炉用电分成直流和交流两个区域,直流区域为加热器和控制系统,交流区域为炉体冷却、晶体旋转、坩埚旋转等辅助系统;本发明单晶硅生长不间断稳定供电技术主体分成四个部分,第一部分为市电及备用电源输入、整流稳定及充电部分,且通过升压将电压提高12%;第二部分为电池组部分,采用锂离子电池做为长效型电池存储单元,可持续单独供电30min;第三部分为直流输出部分,是主功率输出部分,具备电压和电流的双重供电调节能力,分为多级体系,为加热器和控制系统供电;第四部分为交流输出部分,采用逆变器输出,为冷却水等辅助系统供电。
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