[发明专利]硅片及退火处理方法有效
| 申请号： | 201510573095.0 | 申请日： | 2015-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN105297140B | 公开（公告）日： | 2019-10-25 |
| 发明（设计）人： | 李秦霖;刘浦锋;宋洪伟;陈猛 | 申请（专利权）人： | 上海超硅半导体有限公司 |
| 主分类号： | C30B33/02 | 分类号： | C30B33/02;C30B30/02 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 巩克栋 |
| 地址： | 201604 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种集成电路用单晶硅硅片及其退火处理方法。所述的硅片其特征在于空位型缺陷的无瑕疵层深度为5~13μm；硅片厚度中心处的BMD密度不低于5×108/cm³，硅片的线性滑移位错总长小于4cm，滑移累积总面积小于8cm2。且该硅片是于非氧化气氛和施加电场的环境中，在不低于1200℃的情况下热处理至少2小时而制得。 | ||
| 搜索关键词： | 硅片 退火 处理 方法 | ||
【主权项】：
1.一种单晶硅硅片的退火处理方法，其特征在于，将采用CZ法拉制得氧浓度范围在3×1017～7×1017atoms/cm3以内、氮浓度范围在5×1014～2×1016atoms/cm3以内的单晶硅锭加工制作的原始硅片，置于可施加电场的垂直退火炉中，在保持不低于1200℃且不高于1300℃的恒定温度的热场和电场的作用下退火处理，历时不低于2小时，在整个过程中电场强度的方向保持不变，其电场强度为0.5KV/cm～8KV/cm。
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