[发明专利]一种制造光衰减器阵列的方法及光衰减器阵列在审
申请号: | 201510573202.X | 申请日: | 2015-09-10 |
公开(公告)号: | CN105353469A | 公开(公告)日: | 2016-02-24 |
发明(设计)人: | 王文辉;钟桂雄;邓江东;李四华;施林伟;李维 | 申请(专利权)人: | 深圳市盛喜路科技有限公司 |
主分类号: | G02B6/26 | 分类号: | G02B6/26 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 518000 广东省深圳市福田区彩田路西红荔*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明涉及一种基于MEMS工艺制造光衰减器阵列的方法,在硅基光学平台上进行封装,输入光纤和输出光纤分别位于VOA芯片的两端,其特征在于所述VOA芯片下半部具有掏空部分,所述掏空部分可供光纤通过,所述输入光纤和输出光纤的端面直接耦合。以及一种光衰减器阵列。该制作方法和得到的光衰减器阵列封装结构更简单,组装工艺简单可靠、稳定可控,成本低。 | ||
搜索关键词: | 一种 制造 衰减器 阵列 方法 | ||
【主权项】:
一种制造光衰减器阵列的方法,在硅基光学平台上进行封装,输入光纤和输出光纤分别位于VOA芯片的两端,其特征在于所述VOA芯片下半部具有掏空部分,所述掏空部分可供光纤通过,所述输入光纤和输出光纤的端面直接耦合。
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