[发明专利]具有非破坏性读出的图像传感器像素单元

摘要

本申请案涉及一种具有非破坏性读出的图像传感器像素单元。一种像素单元包含经耦合以响应于入射光而光生图像电荷的光电二极管。深沟槽隔离结构接近于所述光电二极管而安置以通过所述深沟槽隔离结构提供到所述光电二极管的电容性耦合。放大器晶体管耦合到所述深沟槽隔离结构以响应于通过由所述深沟槽隔离结构提供的所述电容性耦合从所述光电二极管读出的所述图像电荷而产生经放大图像数据。行选择晶体管耦合到所述放大器晶体管的输出以将所述经放大图像数据选择性地输出到耦合到所述行选择晶体管的列位线。

主权项

1.一种像素单元，其包括：光电二极管，其经耦合以响应于入射光而光生图像电荷；深沟槽隔离结构，其接近于所述光电二极管而安置以通过所述深沟槽隔离结构提供到所述光电二极管的电容性耦合；放大器晶体管，其耦合到所述深沟槽隔离结构以响应于通过由所述深沟槽隔离结构提供的所述电容性耦合从所述光电二极管读出的所述图像电荷而产生经放大图像数据；行选择晶体管，其耦合到所述放大器晶体管的输出以将所述经放大图像数据选择性地输出到耦合到所述行选择晶体管的列位线；浮动扩散部，其耦合到所述放大器晶体管；转移晶体管，其耦合于所述光电二极管与所述浮动扩散部之间以将所述浮动扩散部选择性地耦合到所述光电二极管；复位晶体管，其耦合到所述浮动扩散部以选择性地对所述浮动扩散部及所述光电二极管中的电荷进行复位；及耦合于所述深沟槽隔离结构与所述浮动扩散部之间的切换晶体管，其中所述放大器晶体管及所述复位晶体管通过所述切换晶体管选择性地耦合到所述深沟槽隔离结构。