[发明专利]一种改善管状基底内表面沉积薄膜均匀性的方法有效
申请号: | 201510576553.6 | 申请日: | 2015-09-11 |
公开(公告)号: | CN105132886B | 公开(公告)日: | 2018-03-23 |
发明(设计)人: | 熊玉卿;任妮;王济洲;冯煜东;赵栋才 | 申请(专利权)人: | 兰州空间技术物理研究所 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44 |
代理公司: | 北京中恒高博知识产权代理有限公司11249 | 代理人: | 高玉滨 |
地址: | 730000 甘*** | 国省代码: | 甘肃;62 |
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摘要: | 本发明公开了一种改善管状基底内表面沉积薄膜均匀性的方法,(1)将管状基底放置于反应室内,将侧壁上均匀分布有若干通孔的进气管置于所述管状基底内;(2)对管状基底进行加热;(3)通过所述进气管向反应室内通入反应前驱体进行镀膜。本发明一种改善管状基底内表面沉积薄膜均匀性的方法,能够显著改善管状基底内表面沉积薄膜的均匀性。 | ||
搜索关键词: | 一种 改善 管状 基底 表面 沉积 薄膜 均匀 方法 | ||
【主权项】:
一种改善管状基底内表面沉积薄膜均匀性的方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)将管状基底放置于反应室内,将侧壁上均匀分布有若干通孔的进气管置于所述管状基底内;(2)沿所述管状基底长度方向对其进行梯度加热,对所述管状基底的进气管插入的一端加热温度最低、另一端加热温度最高;(3)通过所述进气管向反应室内通入反应前驱体进行镀膜;所述步骤(1)中,进气管上通孔的分布方式为:沿进气管圆周均匀分布一组通孔,沿进气管轴线方向,均匀分布多组通孔。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的