[发明专利]半导体制造方法有效
| 申请号： | 201510578248.0 | 申请日： | 2015-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN105428400B | 公开（公告）日： | 2019-01-18 |
| 发明（设计）人： | 青山敬幸;加藤慎一 | 申请（专利权）人： | 株式会社思可林集团 |
| 主分类号： | H01L29/45 | 分类号： | H01L29/45;H01L21/28;H01L21/324 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 宋晓宝;向勇 |
| 地址： | 日本国京*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供能够得到低的金半接触电阻而不会使器件特性劣化的半导体制造方法以及半导体制造装置。通过从闪光灯(FL)对形成了金属层的半导体基板(W)的表面以1秒以下的照射时间照射闪光，将包含金属层以及杂质区域的半导体基板(W)的表面瞬间地升温至1000℃以上的处理温度。另外，在包含氢的混合气体的环境中，对半导体基板(W)的表面照射闪光进行加热处理。通过在混合气体的环境中将半导体基板(W)的表面在极短时间加热至高温，能够使金半接触电阻降低，而不会使在栅极氧化膜的界面附近为了氢封端而取入的氢解吸。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 制造 方法 以及 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体制造方法，用于形成由碳化硅形成的半导体基板的金半接触，其特征在于，包括：离子注入工序，对半导体基板的一部分区域注入离子，形成杂质区域，金属层形成工序，在所述杂质区域上形成金属层，以及热处理工序，对形成了所述金属层的所述半导体基板以1秒以下的照射时间照射光进行加热；所述热处理工序在包含氢的混合气体中以1秒以下的照射时间照射光来执行，由此，不会使氢从所述半导体基板的进行了氢封端处理的栅极氧化膜的界面附近解吸而对所述半导体基板加热，形成金半接触并还进行对所述杂质区域所注入的杂质的活化。
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