[发明专利]半导体装置的制造方法

摘要

本发明的目的在于当从衬底剥离包括半导体元件的元件形成层时，抑制随着剥离而产生的静电的放电。在衬底上形成剥离层、元件形成层。在元件形成层的上表面固定之后能够剥离的支撑基材。通过支撑基材改变元件形成层的形状，来使在元件形成层和剥离层的界面产生剥离。在进行剥离时，供应纯水等的液体，以便濡湿随着剥离而逐步露出的元件形成层及剥离层。产生在元件形成层及剥离层的表面的电荷由液体扩散，从而可以消除因剥离带电的放电。

主权项

1.一种半导体装置的制造方法，包括：在衬底上形成金属层；氧化所述金属层的表面；在所述金属层上形成包括半导体元件的元件形成层；在所述元件形成层中形成沟槽；将纯水或中性水溶液供应到至少形成所述沟槽的部分；在停止所述纯水或所述中性水溶液的供应之后，从所述衬底分离所述元件形成层，与此同时，由于所述分离暴露的表面随着所述分离进行而被所述纯水或所述中性水溶液濡湿；以及在所述分离步骤之后，将挠性衬底固定到所述元件形成层。