[发明专利]双极晶体管有效
| 申请号： | 201510578851.9 | 申请日： | 2015-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN105428402B | 公开（公告）日： | 2018-06-29 |
| 发明（设计）人： | 托尼·范胡克;维特·桑迪·恩;皮特鲁斯·H·C·马涅;蓬奇·伊沃;迪克·克拉森;马哈茂德·谢哈布·穆罕默德·阿尔沙蒂 | 申请（专利权）人： | 恩智浦有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/737 | 分类号： | H01L29/737;H01L29/06;H01L29/36;H01L21/331 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 倪斌 |
| 地址： | 荷兰埃因霍温高科*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 一种包括双极晶体管的半导体器件及其制造方法。一种包括双极晶体管的功率放大器。所述双极晶体管包括：包括横向延伸的漂移区的集电极。所述双极晶体管还包括：位于所述集电极上方的基极。所述双极晶体管还包括：位于所述基极上方的发射极。所述双极晶体管还包括具有与集电极的导电类型不同的导电类型的掺杂区域。掺杂区域在集电极下方横向延伸以在掺杂区域和集电极之间的接触区域处形成结。所述掺杂区域具有不均匀的横向掺杂分布。所述掺杂区域的掺杂级别在离所述双极晶体管的集电极‑基极结最近的那部分掺杂区域中最高。 | ||
| 搜索关键词： | 双极晶体管 掺杂区域 集电极 导电类型 横向延伸 半导体器件 功率放大器 横向掺杂 接触区域 不均匀 发射极 漂移区 掺杂 制造 | ||
【主权项】：
1.一种包括双极晶体管的半导体器件，所述双极晶体管包括：集电极，所述集电极包括横向延伸的漂移区；基极，所述基极位于所述集电极上方；发射极，所述发射极位于所述基极上方；以及掺杂区域，所述掺杂区域具有与所述集电极的导电类型不同的导电类型，所述掺杂区域在所述集电极下方横向延伸以在所述掺杂区域和所述集电极之间的接触区域处形成结，其特征在于，所述掺杂区域具有不均匀的横向掺杂分布，以及其中所述掺杂区域的掺杂级别在离所述双极晶体管的集电极‑基极结最近的那部分掺杂区域中最高。
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