[发明专利]处理模块、处理装置及处理方法在审
| 申请号： | 201510579253.3 | 申请日： | 2015-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN105428275A | 公开（公告）日： | 2016-03-23 |
| 发明（设计）人： | 山口都章;水野稔夫;小畠严贵 | 申请（专利权）人： | 株式会社荏原制作所 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/306;B24B37/013;B24B39/06 |
| 代理公司： | 上海市华诚律师事务所 31210 | 代理人： | 彭里 |
| 地址： | 日本东京都*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的处理模块、处理装置及处理方法提高处理对象物的研磨处理面的研磨精度。上侧处理模块(300A)通过一边使直径小于晶圆(W)的研磨垫(502)与晶圆(W)接触，一边使晶圆(W)与研磨垫(502)相对运动来进行研磨处理。上侧处理模块(300A)包括对进行研磨处理之前或者研磨处理实施过程中的晶圆(W)的研磨处理面的状态进行检测的状态检测部(910)，以及根据由状态检测部(910)检测到的研磨处理面的状态对晶圆(W)的研磨处理面的一部分的研磨处理的条件进行控制的控制部(920)。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 模块 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种处理模块，其通过一边使直径小于处理对象物的研磨垫接触所述处理对象物，一边使所述处理对象物与所述研磨垫相对运动来进行研磨处理，该处理模块的特征在于，包括：状态检测部，其对进行所述研磨处理之前或者所述研磨处理实施过程中的所述处理对象物的研磨处理面的状态进行检测；以及控制部，其根据由所述状态检测部检测到的研磨处理面的状态对处理对象物的研磨处理面的一部分的研磨处理的条件进行控制。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
