[发明专利]一种低海拔高积温地区的魔芋种植方法

摘要

本发明涉及魔芋的种植领域，具体为一种低海拔高积温地区的魔芋种植方法，它包括如下步骤选种、起垅、种植、盖草、遮阴、洒药、挖种、取二代种芋、二代种芋的种植全过程、取三代种芋、三代种芋的种植全过程、得最终魔芋成品；本发明的内容是提供一种低海拔高积温地区的魔芋种植方法，可以使魔芋能够在低海拔高积温地区进行种植，并且相对与高海拔低积温地区的产量得到大大提升。

主权项

一种低海拔高积温地区的魔芋种植方法，其特征在于，它包括如下步骤：①、选种，选取饱满、重量为4‑6g的一代种芋，并在阳光下晾晒，消耗掉20‑30%的水分，并进行抗病消毒处理；②、起垅，用土在种植地里堆积出30‑50cm高的土垅；③、种植，在3月份，将种芋种植到步骤②的土垅内；芋种上面履盖细土3‑4.5cm④、盖草，在步骤③种植好种芋的土垅上覆盖草层，草层厚度为3‑4cm；⑤、遮阴，用高杆植物对步骤④中的种芋进行遮阴，遮阴的面积为50‑70%；⑥、洒药，在4‑5月份时，步骤⑤中的种芋会出苗，出苗后进行预防软腐病和白绢病的药水喷洒，喷洒的次数为4‑6次，喷洒的时间间隔为8‑12d；⑦、挖种，9‑10月份时，从土垅内挖出生长膨胀和无性分裂繁殖的魔芋；⑧、取二代种芋，将步骤⑦挖出来的魔芋无性分裂繁殖出来的部分取下，备用为一代种芋，余下膨胀体作为二代种芋，将二代种芋在阳光下晾晒，消耗掉20‑30%的水分，并进行抗病消毒处理；⑨、二代种芋的种植全过程，将步骤⑧中的二代种芋重复步骤②‑⑦的种植过程；⑩、取三代种芋，将步骤⑨中挖出来的魔芋无性分裂繁殖出来的部分取下，备用为一代种芋，余下膨胀体作为三代种芋，将三代种芋在阳光下晾晒，消耗掉20‑30%的水分，并进行抗病消毒处理；⑪、三代种芋的种植全过程，将步骤⑩中的三代种芋重复步骤②‑⑦的种植过程；⑫、得最终魔芋成品，将步骤⑪中挖出来的魔芋无性分裂繁殖出来的部分取下，备用为一代种芋，余下膨胀体为最终魔芋成品；步骤③种植过程中，下种的深度不大于5cm；步骤①、步骤⑧和步骤⑩中的种芋的抗病消毒处理方法如下：1）、喷洒，将种芋均匀的铺设在地面上，并将浓度为72%的农用链霉素稀释800‑1000倍后的稀释液喷洒在种芋上；2）、移位，将步骤1）中喷洒了稀释后的农用链霉素的种芋放置到布片上；3）、配药粉，将49%的生石灰、49%的草木灰和2%的硫磺分别磨碎至粒子大小于120目，之后将这三种粉粒倒入容器中，并搅拌5min得到抗病药粉；4）、撒药粉，将步骤3）配置好的抗病药粉撒到步骤2）布片上的种芋上，再摆动布片，让药粉均匀的包裹住种芋；5）、装框，将步骤4）中包裹有药粉的种芋晾晒，消耗掉8‑12%的水分，并且进行装框，得到处理好待下种的种芋。