[发明专利]具有场电极结构、栅极结构和辅助二极管结构的半导体器件有效
| 申请号： | 201510580550.X | 申请日： | 2015-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN105428398B | 公开（公告）日： | 2019-08-30 |
| 发明（设计）人： | R·西明耶科;O·布兰科;F·希尔勒;M·H·菲勒梅耶 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/40 | 分类号： | H01L29/40;H01L29/78;H01L29/739 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 奥地利;AT |
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| 摘要： | 本发明的各个实施例涉及具有场电极结构、栅极结构和辅助二极管结构的半导体器件。一种半导体器件(500)包括：场电极结构(160)，其沿与半导体主体(100)中的第一表面(101)垂直的方向延伸；单元台体(170)，其由所述半导体主体(100)的在所述场电极结构(160)之间的部分构成；以及主体区域(115)，该主体区域与漂移区(121)一起形成第一pn结(pn1)。在场电极结构(160)之间的栅极结构(150)控制通过所述主体区域(115)的电流。正向电压小于述第一pn结(pn1)的辅助二极管结构(LD)与第一pn结(pn1)并联地电连接，其中辅助二极管结构(LD)的半导体部分形成在所述单元台体(170)中。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 电极 结构 栅极 辅助 二极管 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，所述半导体器件包括：场电极结构(160)，在半导体主体(100)中在与第一表面(101)垂直的方向上延伸；单元台体(170)，由所述半导体主体(100)的在所述场电极结构(160)之间的部分构成，并且包括主体区域(115)，所述主体区域与漂移区(121)一起形成第一pn结(pn1)；栅极结构(150)，形成在所述场电极结构(160)之间，并且被配置为控制通过所述主体区域(115)的电流；以及辅助二极管结构，具有小于所述第一pn结(pn1)的正向电压、并且与所述第一pn结(pn1)并联地电连接，其中所述辅助二极管结构的半导体部分形成在所述单元台体(170)中,其中所述辅助二极管结构是肖特基接触，所述肖特基接触形成在所述漂移区(121)与导电结构(311)之间的界面处，每个所述导电结构(311)在所述栅极结构(150)中的一个与所述场电极结构(160)中的一个之间、从所述第一表面(101)延伸到所述半导体主体(100)中。
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