[发明专利]三相不等气隙的三芯柱半匝电抗器及其制造方法在审

专利信息
申请号: 201510581048.0 申请日: 2015-09-14
公开(公告)号: CN105185526A 公开(公告)日: 2015-12-23
发明(设计)人: 冉瑞刚;李裕宝 申请(专利权)人: 广东新昇电业科技股份有限公司
主分类号: H01F27/24 分类号: H01F27/24;H01F3/14;H01F17/04;H01F41/00
代理公司: 惠州市超越知识产权代理事务所(普通合伙) 44349 代理人: 卢浩
地址: 528137 广东省*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明提供一种三相不等气隙的三芯柱半匝电抗器及其制造方法,包括A相铁芯柱、B相铁芯柱、C相铁芯柱、两个横轭以及分别套至于所述A相铁芯柱、B相铁芯柱、C相铁芯柱上的线圈,所述A相铁芯柱、B相铁芯柱、C相铁芯柱依次间隔地连接于所述两个横轭之间,该两个横轭平行间隔设置;所述A相铁芯柱、B相铁芯柱、C相铁芯柱均包括层叠设置的硅钢片以及气隙块;所述A相铁芯柱、B相铁芯柱、C相铁芯柱的横截面积相同,其电气匝数值依次分别为N、N+0.5、N+1,各相铁芯柱的气隙个数以及每个气隙的厚度分别满足预设公式。本发明具有修正因半匝问题引起的电感量不平衡现象以及满足三相电抗器的电感量三相不平衡率≤4%的要求的有益效果。
搜索关键词: 三相 不等 三芯柱半匝 电抗 及其 制造 方法
【主权项】:
一种三相不等气隙的三芯柱半匝电抗器,包括A相铁芯柱、B相铁芯柱、C相铁芯柱、两个横轭铁以及分别套至于所述A相铁芯柱、B相铁芯柱、C相铁芯柱上的线圈,所述A相铁芯柱、B相铁芯柱、C相铁芯柱依次间隔地连接于所述两个横轭铁芯之间,该两个横轭铁芯平行间隔设置;所述A相铁芯柱、B相铁芯柱、C相铁芯柱均包括层叠设置的硅钢片以及气隙块;其特征在于,所述A相铁芯柱、B相铁芯柱、C相铁芯柱的横截面积相同,其电气匝数值依次分别为N、N+0.5、N+1,各相铁芯柱的气隙总厚度Lg=0.4*π* W^2*S*10^‑8/L,三相气隙Lg不相等;其中W表示匝数,S表示一相铁芯的有效截面积,L为电感量。
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