[发明专利]一种超辐射发光二极管的制作方法及制得的发光二极管

摘要

本发明涉及一种超辐射发光二极管的制作方法，包括以下步骤一次外延片的生长步骤、形成脊的步骤、掩埋的步骤、形成P面电极金属的步骤、形成N面电极金属的步骤、解离的步骤，从而制得超辐射发光二极管。本发明还提出一种由所述制作方法制得的超辐射发光二极管。本发明采用新型的异质结掩埋工艺来优化和改善芯片的输出功率，一方面与常规的生长温度相比，本发明提高生长温度，优化在脊侧壁的光滑度；另一方面采用掺杂浓度优化的掩埋工艺来降低光场的损耗，从而提高输出功率。本发明的SLD芯片具有谱线宽、增益高、输出大的优点。

主权项

一种超辐射发光二极管的制作方法，其特征在于，该制作方法包括以下步骤：一次外延片的生长步骤：在InP衬底片上依次生长N型InP缓冲层，InGaAsP势垒层，GaAs层，InAs量子点；重复生长上述的InGaAsP势垒层、GaAs层、InAs量子点，直至生长成多层InGaAsP势垒层/GaAs层/InAs量子点，再生长InGaAsP势垒覆盖层；最后生长InP保护层；形成脊的步骤：对上述一次外延片沉积SiO2介质层，光刻，刻蚀SiO2，之后进行腐蚀，形成脊形状结构；掩埋的步骤：在脊结构上依次生长掩埋异质结的P‑InP层、掩埋的N‑InP层、浓度由低到高渐变的P‑InP层、P‑InGaAsP层和重掺杂接触层P+‑InGaAs层；形成P面电极金属的步骤：在掩埋后的样品表面沉积SiO2，光刻形成P面一次金属，刻蚀电极区域表面SiO2，经电子束蒸发、剥离、退火后，再次光刻、电子束蒸发、剥离形成P面电极金属；形成N面电极金属的步骤：对形成P面电极金属的样品的衬底层进行研磨减薄，电子束蒸发后形成N面电极金属，对N面和P面电极金属进行合金；解离的步骤：将合金后的样品沿着晶向解离成巴条，从而制得1550nm超辐射发光二极管。