[发明专利]一种缺陷诱导石墨烯基电极材料的制备方法

摘要

一种缺陷诱导石墨烯基电极材料的制备方法，本发明涉及石墨烯基电极材料的制备方法。本发明要解决现有对垂直生长石墨烯片润湿性进行改善，其中多种合成方法制备具有不同微观结构的石墨烯材料，涉及较多参数的调节，难以准确把握改善的程度及表面改性的机理，而化学修饰的方法涉及化学药品的选取，制备和化学反应，过程相对复杂的问题。方法：一、沉积；二、刻蚀；三、关闭射频电源和加热电源，以Ar为保护气体，冷却到室温，即完成缺陷诱导石墨烯基电极材料的制备方法。本发明用于缺陷诱导石墨烯基电极材料的制备方法。

主权项

一种缺陷诱导石墨烯基电极材料的制备方法，其特征在于一种缺陷诱导石墨烯基电极材料的制备方法是按照以下步骤进行的：一、将集电极材料置于等离子体增强化学气相沉积真空装置中，在温度为300℃～800℃、压强为200Pa～900Pa、射频功率为75W～225W、氩气的气体流量为40sccm～120sccm及CH₄气体的气体流量为5sccm～50sccm的条件下，沉积时间为5min～60min，得到沉积石墨烯的集电极材料；二、沉积结束后，关闭CH₄气体，调节温度至刻蚀温度为400℃～800℃，调节氩气的气体流量为5sccm～100sccm，调节刻蚀压强为50Pa～300Pa，开启等离子体电源后，调节射频功率为100W～200W，同时旋转样品台使得沉积石墨烯的集电极材料与水平方向保持0°～45°的角度，然后在刻蚀温度为400℃～800℃、氩气的气体流量为5sccm～100sccm、刻蚀压强为50Pa～300Pa及射频功率为100W～200W的条件下，一次刻蚀1s～100s，再旋转样品台使得沉积石墨烯的集电极材料与水平方向保持‑45°～0°的角度，然后在刻蚀温度为400℃～800℃、氩气的气体流量为5sccm～100sccm、刻蚀压强为50Pa～300Pa及射频功率为100W～200W的条件下，二次刻蚀1s～100s，得到表面刻蚀处理后的石墨烯；三、刻蚀结束后，关闭射频电源和加热电源，以氩气为保护气体，冷却到室温，即完成缺陷诱导石墨烯基电极材料的制备方法。