[发明专利]半导体激光器用外延片及其制备方法在审
| 申请号： | 201510583257.9 | 申请日： | 2015-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN105071223A | 公开（公告）日： | 2015-11-18 |
| 发明（设计）人： | 马淑芳;田海军;吴小强;梁建;董海亮 | 申请（专利权）人： | 山西飞虹微纳米光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/343 | 分类号： | H01S5/343 |
| 代理公司： | 北京方圆嘉禾知识产权代理有限公司 11385 | 代理人： | 董芙蓉 |
| 地址： | 041600 山西省*** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体激光器外延片及其制备方法。在n-GaAs衬底上由下至上外延生长n-GaAs缓冲层，n-AlxGa1-xAs渐变层，n-AlxGa1-xAs下限制层，AlxGa1-xAs下波导层，有源层，AlxGa1-xAs上波导层，p-AlxGa1-xAs上限制层，p-AlxGa1-xAs渐变层,p-GaAs顶层。其制备方法是：采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)的方法在n-GaAs衬底上至下而上依次外延生长各层。本发明可以减少电子散失，提高有源区内电子与空穴的辐射复合效率。可以生长出高质量的晶体，能提供更深的载流子阱和更大的增益；应变补偿量子阱具有带阶大，波长漂移速度更低和透明载流子浓度更低等优势。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 激光 器用 外延 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体激光器外延片，其特征在于：所述外延片的结构为：在n‑GaAs衬底上由下至上外延生长n‑GaAs缓冲层，n‑AlxGa1‑xAs渐变层，n‑AlxGa1‑xAs下限制层，AlxGa1‑xAs下波导层，有源层，AlxGa1‑xAs上波导层，p‑AlxGa1‑xAs上限制层，p‑AlxGa1‑xAs渐变层，p‑GaAs顶层；所述AlxGa1‑xAs上波导层的厚度小于所述AlxGa1‑xAs下波导层厚度；所述有源层采用应变补偿量子阱结构。
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