[发明专利]具备载流子存储的平面栅IGBT器件有效
| 申请号： | 201510583542.0 | 申请日： | 2015-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN105140279B | 公开（公告）日： | 2018-07-31 |
| 发明（设计）人： | 贾艳;朱阳军;卢烁今;陈宏 | 申请（专利权）人： | 江苏物联网研究发展中心;江苏中科君芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人： | 曹祖良;张涛 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市新*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种具备载流子存储的平面栅IGBT器件，其包括具备第一导电类型的漂移区以及形成于漂移区正面的平面型元件单元，所述平面型元件单元包括第二导电类型基区以及位于所述第二导电类型基区下方的载流子存储层，载流子存储层的导电类型与漂移区的导电类型相一致，且第二导电类型基区以及载流子存储层均位于漂移区内的上部，所述平面型元件单元还包括用于对载流子存储层进行包裹的第二导电类型掩埋层，所述第二导电类型掩埋层在漂移区内邻接载流子存储层，且第二导电类型掩埋层仅包裹载流子存储层拐角处至所述载流子存储层的底部对应的区域。本发明结构简单紧凑，提高IGBT器件的击穿电压，降低IGBT器件的关断损耗以及导通压降。 | ||
| 搜索关键词： | 具备 载流子 存储 平面 igbt 器件 | ||
【主权项】：
1.一种具备载流子存储的平面栅IGBT器件，包括具备第一导电类型的漂移区以及形成于漂移区正面的平面型元件单元，所述平面型元件单元包括第二导电类型基区以及位于所述第二导电类型基区下方的载流子存储层（10），载流子存储层（10）的导电类型与漂移区的导电类型相一致，且第二导电类型基区以及载流子存储层（10）均位于漂移区内的上部，其特征是：所述平面型元件单元还包括用于对载流子存储层（10）进行包裹的第二导电类型掩埋层，所述第二导电类型掩埋层在漂移区内邻接载流子存储层（10），且第二导电类型掩埋层仅包裹载流子存储层（10）拐角处至所述载流子存储层（10）的底部对应的区域；在漂移区内的上部还设有体电极单元，所述体电极单元包括从漂移区正面垂直向下延伸的体电极（13），且体电极（13）的底部与第二导电类型掩埋层对应，体电极（13）通过体电极氧化层（12）与第二导电类型基区、载流子存储层（10）、第二导电类型掩埋层以及漂移区绝缘隔离。
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