[发明专利]基于石墨烯和II‑VI族半导体轴向p‑n结纳米线阵列的柔性光电子器件及其制备方法

摘要

本发明公开了基于石墨烯和II‑VI族半导体轴向p‑n结纳米线阵列的柔性光电子器件及其制备方法。其包括柔性衬底、石墨烯层、II‑VI族半导体轴向p‑n结纳米线阵列、PMMA绝缘层、铝电极、金/钛电极。首先将石墨烯层转移至带有二氧化硅层的硅衬底上；然后利用化学气相沉积法在石墨烯层上生长II‑VI族半导体轴向p‑n结纳米线阵列；接着利用旋涂法在II‑VI族半导体轴向p‑n结纳米线阵列缝隙间填充PMMA绝缘层；再利用电子束蒸镀法在PMMA绝缘层上制备铝电极和在石墨烯层裸露一侧之上制备金/钛电极；最后利用牺牲层刻蚀转移法将器件整体从硅衬底上转移至柔性衬底。本发明专利采用了石墨烯和II‑VI族半导体轴向p‑n结纳米线阵列，有效提高了无机柔性光电子器件的密度和延展性。

主权项

一种基于石墨烯和II‑VI族半导体轴向p‑n结纳米线阵列的柔性光电子器件，其特征在于：包括一层柔性衬底(1)，所述柔性衬底(1)上设有石墨烯层(2)，所述石墨烯层(2)上设有由p‑型II‑VI族半导体纳米线部分(3)和n‑型II‑VI族半导体纳米线部分(4)组成的II‑VI族半导体轴向p‑n结纳米线的阵列结构，所述II‑VI族半导体轴向p‑n结纳米线阵列缝隙中设有PMMA(PolymethylMethacrylate，聚甲基丙烯酸甲酯)绝缘层(5)，所述n‑型II‑VI族半导体纳米线部分(4)阵列头部裸露在所述PMMA绝缘层(5)之外，所述PMMA绝缘层(5)之上设有铝电极(6)，所述石墨烯层(2)裸露一侧之上设有金/钛电极(7)。