[发明专利]薄膜晶体管的制造方法有效
| 申请号： | 201510587300.9 | 申请日： | 2015-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN105280716B | 公开（公告）日： | 2018-08-31 |
| 发明（设计）人： | 叶家宏 | 申请（专利权）人： | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/34 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 郭蔚 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种薄膜晶体管的制造方法至少包括下列步骤。在基板上依序形成半导体层、金属层与辅助层。在金属层及辅助层位于半导体层上方的情况下，对半导体层进行结晶程序以形成有源层。于形成有源层后，图案化金属层以形成源极与漏极。形成栅极绝缘层以及形成栅极。栅极绝缘层位于栅极以及源极与漏极之间。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，包括：在一基板上依序形成一半导体层、一金属层以及一辅助层；在该金属层以及该辅助层位于该半导体层上方的情况下，对该半导体层进行一结晶程序，以形成一有源层；于形成该有源层后，图案化该金属层，以形成一源极与一漏极；形成一栅极；以及形成一栅极绝缘层，其中该栅极绝缘层位于该栅极以及该源极与该漏极之间。
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