[发明专利]电路布置和形成电路布置的方法在审

专利信息
申请号: 201510587722.6 申请日: 2015-09-15
公开(公告)号: CN105428356A 公开(公告)日: 2016-03-23
发明(设计)人: D·威廉 申请(专利权)人: 英飞凌科技股份有限公司
主分类号: H01L27/04 分类号: H01L27/04;H01L29/92;H01L29/94;H01L27/102;H01L21/822
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 郑立柱;潘聪
地址: 德国诺伊*** 国省代码: 德国;DE
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摘要: 提供了一种电路布置。该电路布置可以包括半导体衬底,该半导体衬底包括第一表面、与第一表面相对的第二表面,以及从第一表面延伸到半导体衬底中的第一传导类型的第一掺杂的区域。该电路布置可以包括至少一个电容器,该至少一个电容器包括:包括从第二表面延伸到半导体衬底中的第一传导类型的掺杂的区域的第一电极;在第一电极之上形成的、从第二表面远离半导体衬底延伸的电介质层;以及在电介质层之上形成的、与第一电极相对的第二电极。该电路布置还可以包括被单片地集成在半导体衬底中的至少一个半导体器件。第一传导类型的第一掺杂的区域可以从第一表面延伸到半导体衬底中以形成与第一电极的导电连接。
搜索关键词: 电路 布置 形成 方法
【主权项】:
一种电路布置,包括:半导体衬底,所述半导体衬底包括:第一表面;与所述第一表面相对的第二表面;以及从所述第一表面延伸到所述半导体衬底中的第一传导类型的第一掺杂的区域;至少一个电容器,所述至少一个电容器包括:从所述第二表面延伸到所述半导体衬底中的由所述第一传导类型的掺杂的区域组成的第一电极;在所述第一电极之上形成的、从所述第二表面远离所述半导体衬底延伸的电介质层;以及在所述电介质层之上形成的、与所述第一电极相对的第二电极;以及被单片地集成在所述半导体衬底中的至少一个半导体器件;其中所述第一传导类型的所述第一掺杂的区域从所述第一表面延伸到所述半导体衬底中以形成与所述第一电极的导电连接。
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