[发明专利]三维网状掺氮石墨烯复合氢氧化钴六方纳米片电极材料的制备方法

摘要

本发明公开了三维网状掺氮石墨烯复合氢氧化钴六方纳米片电极材料制备方法。为了克服赝电容材料导电性差和比表面积低的问题，利用简单经济的一步水热法，在三维网状掺氮石墨烯形成过程中，原位生长Co(OH)₂六方纳米片，从而获得石墨烯三维网络骨架支撑Co(OH)₂的复合电极材料。六方纳米片的每边长大约100～300nm，片的厚度在10～15nm。拥有良好的电容性能，电容值在5mV/s扫描速率下达到740.4F/g，在1.0A/g的电流密度下电容值高达952.4F/g，因此在超级电容器电极材料的制备方面有很大的优势。

主权项

三维网状掺氮石墨烯复合氢氧化钴六方纳米片电极材料的制备方法，其特征在于，0.2～2.0g水合氯化钴、1.5～15.0g柠檬酸钠和0.56～5.6g水合磷酸二氢钠依次溶解于100ml去离子水中，然后在40～60℃恒温条件下加入2.0～20.0g氢氧化钠，混合溶液恒温搅拌30min，颜色逐渐变为灰褐色；将0.04～0.4g干燥氧化石墨粉末加入到100ml去离子水中，在80～150W功率下超声0.5～2.0h，得到浓度为0.4～4.0mg/ml的悬浮液；然后将混合溶液和氧化石墨烯悬浮液按1∶0.5～1∶5体积比配成40ml混合液，加入100～1000μl乙二胺后，持续磁力搅拌15min；将其转移到容积为50ml的反应釜中，在120～200℃温度下反应6～15h，自然冷却；最后，通过离心分离，反复清洗，在冷冻干燥机中干燥。