[发明专利]一种光阻残留物检测结构单元、检测系统及方法有效
| 申请号： | 201510591337.9 | 申请日： | 2015-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN105259734B | 公开（公告）日： | 2019-11-22 |
| 发明（设计）人： | 罗飞 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00 |
| 代理公司： | 31275 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) | 代理人： | 吴世华;陈慧弘<国际申请>=<国际公布> |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种在光刻工艺中光阻残留物的检测结构单元、检测系统及检测方法，该检测结构单元在进行光线照射而发生光栓反应的光阻工艺前，通过特殊设计的检测图形以特定方式在排列光罩(除芯片之外的空余位置)上，在光刻工艺后，该检测方法对分布在晶圆光罩外周边每个检测结构单元进行在线缺陷扫描，并且根据在图形密度区域中在线缺陷扫描检测光阻残留物的堆积积累程度，判断光刻工艺是否符合要求。因此，应用本发明的方案，可以大幅提高光阻残留物检测的敏感度和精度，对光刻工艺窗口检查和产品良率分析起到重要作用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 残留物 检测 结构 单元 系统 方法 | ||
【主权项】：
1.一种光阻残留物的检测系统，其特征在于，包括：/n一个或多个检测结构单元，分布在晶圆光罩外周边，每个所述检测结构单元为正方形，其中，所述检测结构单元由分别排布在所述正方形四角的4个第一方块图形组成，所述第一方块图形包括若干个第二方块图形，该若干个所述第二方块图形中具有一个顶点第二方块图形，其余所述第二方块图形均以所述顶点第二方块图形出发，分别沿水平方向、朝向所述正方形中心方向和垂直方向三个方向等间距发散排列；其中，按照排列的方向，定义从所述第二方块图形密集区逐渐变稀疏的方向为发散方向，反之为收敛方向，即稀疏区接近所述晶圆光罩中心，所述密集区远离所述晶圆光罩中心，且靠近所述晶圆光罩外周边；/n检测单元，用于在完成光刻工艺后，对分布在晶圆光罩外周边每个所述检测结构单元进行在线缺陷扫描，并且根据在图形密度区域中在线缺陷扫描检测光阻残留物的堆积积累程度，判断光刻工艺是否符合要求。/n
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