[发明专利]晶片的加工方法在审
| 申请号： | 201510593650.6 | 申请日： | 2015-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN105448827A | 公开（公告）日： | 2016-03-30 |
| 发明（设计）人： | 中村胜 | 申请（专利权）人： | 株式会社迪思科 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78;H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 李辉;黄纶伟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供晶片的加工方法，其是沿分割预定线将晶片分割成一个个器件并在各器件的背面安装芯片粘接用的粘接膜的加工方法，在晶片的正面上呈格子状形成有多条分割预定线，并且在由多条分割预定线划分出的多个区域内分别形成有器件，其中，晶片的加工方法包含：晶片支承工序，将粘接膜安装于晶片的背面，并将粘接膜侧粘贴于切割带的粘接层上，切割带是在带基材上铺设粘接层而成的，粘接层通过照射紫外线而硬化；紫外线照射工序，对切割带照射紫外线而使粘接层硬化；以及切削工序，使在外周具有切削刃的切削刀具旋转，沿着分割预定线将晶片和粘接膜一起切断，由此分割成一个个器件，在切削工序中，使切削刀具的切削刃切入到硬化后的粘接层中。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 加工 方法 | ||
【主权项】：
一种晶片的加工方法，其是沿着分割预定线将晶片分割成一个个器件并在各器件的背面安装芯片粘接用的粘接膜的加工方法，在所述晶片的正面上呈格子状形成有多条所述分割预定线，并且在由该多条分割预定线划分出的多个区域内分别形成有所述器件，其特征在于，所述晶片的加工方法包含：晶片支承工序，将粘接膜安装于晶片的背面，并将粘接膜侧粘贴于切割带的粘接层上，所述切割带是在带基材上铺设所述粘接层而成的，所述粘接层通过照射紫外线而硬化；紫外线照射工序，对该切割带照射紫外线而使该粘接层硬化；以及切削工序，使在外周具有切削刃的切削刀具旋转，沿着分割预定线将晶片和粘接膜一起切断，由此分割成一个个器件，在该切削工序中，使切削刀具的切削刃切入到硬化后的粘接层中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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