[发明专利]窄带吸收超导纳米线单光子探测器有效
申请号: | 201510593967.X | 申请日: | 2015-09-17 |
公开(公告)号: | CN106549098B | 公开(公告)日: | 2019-12-31 |
发明(设计)人: | 李浩;尤立星;王镇 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
主分类号: | H01L39/00 | 分类号: | H01L39/00;H01L39/02 |
代理公司: | 31219 上海光华专利事务所(普通合伙) | 代理人: | 余明伟 |
地址: | 200050 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供一种窄带吸收超导纳米线单光子探测器,包括:衬底;高反膜,位于所述衬底表面;超导纳米线,位于所述高反膜表面;多层薄膜滤波器,位于所述高反膜的表面,且所述多层薄膜滤波器的底层薄膜层包覆所述超导纳米线。本发明的窄带吸收超导纳米线单光子探测器基于高反膜衬底制备超导纳米线,通过正面耦合可以将光直接照射到超导纳米线上,可以避免光学腔体结构超导纳米线单光子探测器件中远距离聚焦的问题,进而避免了衬底Fabry‑Perot腔对吸收效率的影响,且对目标波长具有较高的吸收效率,有效提高了器件探测效率;同时,纳米线上方的多层薄膜滤波器具有非目标波长滤波功能,可过滤入射光中的杂散光,进而有效抑制黑体辐射造成的暗计数。 | ||
搜索关键词: | 窄带 吸收 导纳 米线 光子 探测器 | ||
【主权项】:
1.一种窄带吸收超导纳米线单光子探测器,其特征在于,包括:/n衬底;/n高反膜,位于所述衬底表面;所述高反膜包括交替层叠的SiO
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