[发明专利]一种异质结太阳能电池及其制备方法、表面钝化方法有效
申请号: | 201510598489.1 | 申请日: | 2015-09-18 |
公开(公告)号: | CN105304751B | 公开(公告)日: | 2018-01-02 |
发明(设计)人: | 张娟;谷士斌;张林;田小让;徐湛;何延如;杨荣;王琦;李立伟;郭铁 | 申请(专利权)人: | 新奥光伏能源有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司11291 | 代理人: | 黄志华 |
地址: | 065001 河北省*** | 国省代码: | 河北;13 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种异质结太阳能电池及其制备方法、表面钝化方法,用以使得本征层充分退火,提升钝化效果,同时避免掺杂层P层中硼原子的扩散,从而提升电池转换效率,提高电池性能。所述异质结太阳能电池的表面钝化方法,包括在晶体硅片第一侧表面上沉积第一本征层I层,对所述第一本征层I层进行退火处理;在经过退火处理的第一本征层I层表面上沉积掺杂层P层。 | ||
搜索关键词: | 一种 异质结 太阳能电池 及其 制备 方法 表面 钝化 | ||
【主权项】:
一种异质结太阳能电池的表面钝化方法,其特征在于,包括:在晶体硅片第一侧表面上沉积第一本征层I层,对所述第一本征层I层进行退火处理;在经过退火处理的第一本征层I层表面上沉积掺杂层P层;其中,对所述第一本征层I层进行退火处理,包括:在晶体硅片第一侧表面第一本征层I层形成和晶体硅片第二侧表面第二本征层I层形成之间进行退火;或者在晶体硅片第一侧表面第一本征层I层形成和晶体硅片第二侧表面第二本征层I层形成之后、掺杂层P层形成之前进行退火;所述晶体硅片第一侧表面与第二侧表面相对;其中,对所述第一本征层I层进行退火处理的温度大于或等于150℃且小于或等于300℃。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于新奥光伏能源有限公司,未经新奥光伏能源有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201510598489.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:太阳能晶硅电池返工片处理工艺
- 下一篇:碳化硅半导体器件
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的