[发明专利]一种光电二极管装置以及一种产生整流效应的方法有效
申请号: | 201510598628.0 | 申请日: | 2015-09-18 |
公开(公告)号: | CN106549077B | 公开(公告)日: | 2018-03-02 |
发明(设计)人: | 郭丽伟;陈小龙;黄郊;史哲 | 申请(专利权)人: | 中国科学院物理研究所 |
主分类号: | H01L31/101 | 分类号: | H01L31/101;H01L31/102;H01L31/0224 |
代理公司: | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司11280 | 代理人: | 王勇,王博 |
地址: | 100190 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 一种光电二极管装置,包括光源和整流结构,所述整流结构包括高阻光增益半导体衬底,位于所述高阻光增益半导体衬底上的石墨烯层,位于所述高阻光增益半导体衬底和所述石墨烯层上的第一ITO电极和第二电极,其中,所述第一ITO电极和所述第二电极分别一部分与所述高阻光增益半导体衬底接触,另一部分与所述石墨烯层接触,以及其中i)所述光源发射的光的能量大于所述高阻光增益半导体衬底的带隙,且所述光源仅辐照第一ITO电极;ii)所述第一ITO电极的面积大于所述光源发射光的光斑面积。本发明的光电二极管装置为平面结构,光电响应速度高,在平面集成和微纳器件领域有潜在应用。 | ||
搜索关键词: | 一种 光电二极管 装置 以及 产生 整流 效应 方法 | ||
【主权项】:
一种光电二极管装置,包括光源和整流结构,所述整流结构包括高阻光增益半导体衬底,位于所述高阻光增益半导体衬底上的石墨烯层,位于所述高阻光增益半导体衬底和所述石墨烯层上的第一ITO电极和第二电极,其中,所述第一ITO电极的一部分与所述高阻光增益半导体衬底接触,另一部分与所述石墨烯层接触,所述第二电极的一部分与所述高阻光增益半导体衬底接触,另一部分与所述石墨烯层接触,以及其中:i)所述光源发射的光的能量大于所述高阻光增益半导体衬底的带隙,且所述光源仅辐照第一ITO电极;ii)所述第一ITO电极的面积大于所述光源发射光的光斑面积。
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