[发明专利]等离子体辅助的玻璃或石英芯片的微结构对准及预键合方法有效
申请号: | 201510598724.5 | 申请日: | 2015-09-18 |
公开(公告)号: | CN105161437B | 公开(公告)日: | 2017-12-08 |
发明(设计)人: | 郭广生;王思雨;蒲巧生;汪夏燕 | 申请(专利权)人: | 北京工业大学 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L21/68 |
代理公司: | 北京思海天达知识产权代理有限公司11203 | 代理人: | 张慧 |
地址: | 100124 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 等离子体辅助的玻璃或石英芯片的微结构对准及预键合方法,属于芯片微加工及键合技术。其步骤如下完全去除玻璃或石英芯片光胶层及铬层,使用洗洁精及大量超纯水充分清洗表面。利用等离子体清洗器进行表面清洗及活化,使表面具有高亲水性;无水条件下,使用显微镜观察,移动清洗后的基片及盖片,完成精确对准。在边缘缝隙滴入极少量超纯水进行粘合,充分施压挤出多余水分后,依靠等离子体清洗器的真空功能排出芯片中的全部水分,完成玻璃或石英芯片的微结构对准及预键合。进一步采用热键合的方法完成芯片的永久键合。该方法使得对准及预键合,整体操作时间可在30min内完成。快速高效、实施简便、操作安全、适用广泛。 | ||
搜索关键词: | 等离子体 辅助 玻璃 石英 芯片 微结构 对准 预键合 方法 | ||
【主权项】:
等离子体辅助的玻璃或石英芯片的微结构对准及预键合方法,其特征在于,包括以下步骤:1)经湿法刻蚀后,去除玻璃或石英芯片基片及盖片上的光胶层及铬层;2)利用洗洁精清洗基片及盖片,使用大量的超纯水进行清洗,去除表面的有机物、固体颗粒及尘埃;3)使用气体吹干大部分水分后,利用等离子清洗器进行基片及盖片表面的清洗及活化,使其表面具有高亲水性;4)取出经等离子体清洗及活化后的基片及盖片,将二者贴合,快速完成粗略对准;5)无水条件下,在显微镜下将两片合并后的芯片进行精准对准,对准后沿着边缘缝隙滴入极少量的超纯水,等离子体清洗后的高亲水的表面使得基片和盖片表面迅速形成水化层,从而使基片与盖片紧密贴合;6)对贴合后的玻璃或石英芯片施压,挤出通道内多余的水分,并利用气体吹干边缘的水分;7)利用等离子体清洗器的真空功能,对玻璃或石英芯片进行真空处理,完全去除通道内的水分,完成预键合步骤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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