[发明专利]一种垂直结构发光二极管的制作方法

摘要

本发明公开了一种垂直结构发光二极管的制作方法，属于半导体技术领域。所述制作方法包括：在蓝宝石衬底上依次生长的Al_1‑xGa_xN缓冲层、N型层、发光层、P型层、金属反光层，0≤x≤1且x沿Al_1‑xGa_xN缓冲层的生长方向逐渐增大；将金属反光层与永久基板键合，永久基板采用导电材料；采用激光技术在外延层上开设从永久基板延伸到Al_1‑xGa_xN缓冲层的划道；采用KOH溶液从划道腐蚀外延层，将蓝宝石衬底从外延层上剥离；在Al_1‑xGa_xN缓冲层上设置N电极；采用劈裂技术将外延层和永久基板分割成多个发光二极管芯片，永久基板为发光二极管芯片的P电极。本发明提高了LED的良率。

主权项

1.一种垂直结构发光二极管的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：在蓝宝石衬底上生长外延层，所述外延层包括在所述蓝宝石衬底上依次生长的Al1‑xGaxN缓冲层、N型层、发光层、P型层、金属反光层，其中，0≤x≤1且x沿所述Al1‑xGaxN缓冲层的生长方向逐渐增大；将所述金属反光层与永久基板键合，所述永久基板采用导电材料；采用激光技术在所述外延层上开设从所述蓝宝石衬底延伸到所述Al1‑xGaxN缓冲层的划道；采用KOH溶液从所述划道腐蚀所述外延层，将所述蓝宝石衬底从外延层上剥离，所述KOH溶液的温度为30‑100℃，所述KOH溶液的摩尔浓度为1‑30mol/L；在所述Al1‑xGaxN缓冲层上设置N电极；采用劈裂技术将所述外延层和所述永久基板分割成多个发光二极管芯片，其中，所述永久基板为所述发光二极管芯片的P电极。