[发明专利]半导体结构及其制法在审
| 申请号： | 201510600837.4 | 申请日： | 2015-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN106505053A | 公开（公告）日： | 2017-03-15 |
| 发明（设计）人： | 洪瑞腾;郑淑娥;陈宜兴;简丰隆;柯俊吉;黄富堂 | 申请（专利权）人： | 矽品精密工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司11314 | 代理人： | 程伟,王锦阳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体结构及其制法，包括提供包含有多个电性连接垫及钝化层的芯片，其中，钝化层具有多个钝化层开口以外露出电性连接垫；形成第一介电层于钝化层上，其中第一介电层包含有多个不连续的第一介电层区块，且各第一介电层区块形成有多个第一介电层开口以外露出电性连接垫；以及形成多个导电元件于外露出第一介电层开口的该些电性连接垫上。本发明通过形成多个不连续的第一介电层区块，以减少第一介电层的残留应力，避免芯片翘曲(warpage)的发生，进而可提高产品良率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，其特征为，该半导体结构包括：芯片，其包含有钝化层及多个电性连接垫，该钝化层具有多个钝化层开口以外露所述电性连接垫；第一介电层，其形成于该钝化层上，并包含有多个不连续的第一介电层区块，其中各该第一介电层区块形成有多个第一介电层开口以外露出所述电性连接垫；以及多个导电元件，其形成于外露出所述第一介电层开口的所述电性连接垫上。
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