[发明专利]一种ZnO/PVK‑TFB杂化LED及其制备方法有效
申请号: | 201510602523.8 | 申请日: | 2015-09-21 |
公开(公告)号: | CN105261708B | 公开(公告)日: | 2017-03-01 |
发明(设计)人: | 段理;樊继斌;于晓晨;田野;程晓姣;何凤妮 | 申请(专利权)人: | 长安大学 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56 |
代理公司: | 西安恒泰知识产权代理事务所61216 | 代理人: | 李郑建,孙雅静 |
地址: | 710064 陕西省*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本发明涉及一种ZnO/PVK‑TFB杂化LED及其制备方法,该方法包括两个利用石墨烯的环节,分别是以氮掺杂的石墨烯作为功能层,和以氮掺杂的石墨烯作为填充物;具体的,以氮掺杂的石墨烯作为功能层,是指将氮掺杂的石墨烯悬浊液旋涂到预留部分电极掩膜的ITO玻璃上,得到的石墨烯功能层厚度约50纳米。以氮掺杂的石墨烯作为填充物,是指将氮掺杂的石墨烯悬浊液旋涂到ZnO纳米阵列的缝隙中;采用本发明的方法,在同样的输入功率下能显著提高ZnO/PVK‑TFB杂化LED发光强度数倍。 | ||
搜索关键词: | 一种 zno pvk tfb 杂化 led 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种ZnO/PVK‑TFB杂化LED,该LED为pn结结构的LED器件,ZnO作为p区材料,PVK‑TFB作为n区材料,其特征在于,所述的p区材料还包括掺有N的石墨烯材料。
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