[发明专利]一种带角度注入的自对准MOS沟道的制备方法在审
| 申请号： | 201510604076.X | 申请日： | 2015-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN105226083A | 公开（公告）日： | 2016-01-06 |
| 发明（设计）人： | 黄润华;陶永洪;柏松;陈刚 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L21/266 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 210016 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供的带角度注入自对准MOS沟道制备方法，通过同一次注入掩膜分别实现第一导电类型掺杂区和第二导电类型掺杂区，通过控制注入掩膜的角度以及离子注入与第一导电类型层垂直方向的角度来控制第一导电类型掺杂区和第二导电类型掺杂区的宽度差，进而控制沟道长度，简化了器件加工工艺，减少了注入掩膜加工次数，并且注入过程中沟道处的SiC表面始终处于介质的保护状态下，避免了表面损伤，提高了后续氧化质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 角度 注入 对准 mos 沟道 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种带角度注入的自对准MOS沟道的制备方法，其特征在于：包括如下的步骤：S1：在第一导电类型衬底(1)上生长第一导电类型层(2)；S2：在第一导电类型层(2)上形成带有角度的注入掩膜(10)，注入掩膜(10)的角度(8)为0°～90°；S3：通过带有角度的离子注入形成第二导电类型掺杂区(3)，离子注入与晶圆表面的垂直方向的夹角(9)为0°～90°；S4：通过垂直于晶圆表面的离子注入在第二导电类型掺杂区(3)内形成第一导电类型掺杂区(4)，第二导电类型掺杂区(3)超出第一导电类型掺杂区(4)的区域为沟道区(13)；S5：去除注入掩膜(10)，在晶圆表面生长栅介质层(5)；S6：去除部分栅介质层(5)，形成源极(7)、栅极(6)和漏极(11)。
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