[发明专利]一种三维立体高密度薄膜积层电容及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201510604366.4 申请日: 2015-09-21
公开(公告)号: CN105118869B 公开(公告)日: 2018-10-16
发明(设计)人: 丰立贤;薛松生;沈卫锋 申请(专利权)人: 江苏多维科技有限公司
主分类号: H01L29/92 分类号: H01L29/92;H01L21/02;H01L27/10;H01L21/82
代理公司: 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 代理人: 孙仿卫;段晓玲
地址: 215634 江苏省苏州市张家*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种三维立体高密度薄膜积层电容,包括一基片、绝缘薄膜、多层电容功能层薄膜、绝缘层、绝缘钝化层、金属连接层、电极板;多层电容功能层薄膜上覆盖有一绝缘钝化层,电极板分别与电容器各导电板薄膜相连接。本发明还公开了上述电容的制备方法,通过对基片进行刻蚀,沉积绝缘层、电容功能层绝缘钝化层等步骤制备三维立体高密度薄膜积层电容。本发明的工艺简单,不需多次光刻即可形成多层电容薄膜器件;对薄膜层数无限制,理想状况下,只要电容器尺寸足够大,电容功能层薄膜层数可为任意有限数,而成本不显著增加;可调节各薄膜使其多在纵向空间分布,可极大缩小电容器尺寸;器件由半导体薄膜工艺制作,环境耐受性、可靠性高。
搜索关键词: 一种 三维立体 高密度 薄膜 电容 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种三维立体高密度薄膜积层电容,其特征在于:包括一基片、绝缘薄膜、多层电容功能层薄膜、绝缘层、绝缘钝化层、金属连接层、电极板;所述的基片的上表面刻蚀有锥形坑,纵向延伸扩大所述基片的表面,所述锥形坑的上表面沉积有所述绝缘薄膜;在所述的绝缘薄膜的上方沉积有所述多层电容功能层薄膜,所述的多层电容功能层薄膜由多层的导电板薄膜和介电层薄膜由下而上依次叠加构成;在所述的多层电容功能薄膜的上方沉积有所述的绝缘层,所述绝缘钝化层沉积在通过化学研磨工艺使绝缘层表面平坦化后暴露出的多层电容功能层薄膜上;所述金属连接层沉积在所述绝缘钝化层在光刻刻蚀后开孔露出的导电板薄膜上,所述电极板与所述的导电板薄膜相连;所述电极板交错连接所述金属连接层,所述电极板用后道球焊接或直接贴片封装。
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