[发明专利]加工多晶硅表面的方法以及加工基板表面的方法有效
| 申请号： | 201510604497.2 | 申请日： | 2015-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN105161413B | 公开（公告）日： | 2018-07-17 |
| 发明（设计）人： | 陆小勇;龙春平;刘建宏;詹裕程;李小龙;刘政 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/48 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 胡良均 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种加工多晶硅表面的方法和加工基板表面的方法。加工多晶硅表面的方法包括：使用化学机械抛光的工艺加工多晶硅表面；其中，在使用化学机械抛光的工艺加工多晶硅表面之前，在多晶硅表面上沉积SiNx薄膜。本发明的方法加工后的多晶硅表面粗糙度达到低于6nm的水准。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶硅表面 化学机械抛光 工艺加工 加工基板 加工 粗糙度 沉积 | ||
【主权项】：
1.一种加工多晶硅表面以改善所述多晶硅表面的粗糙度的方法，包括：在多晶硅表面上沉积材料薄膜；使用化学机械抛光工艺加工沉积了材料薄膜的多晶硅表面；其中，所述材料薄膜选择为使得在抛光过程中多晶硅优先被去除，其中所述材料薄膜为SiNx薄膜，并且在多晶硅表面上沉积的SiNx薄膜厚度为80～120埃；或所述材料薄膜为SiOx薄膜，并且在多晶硅表面上沉积的SiOx薄膜厚度为90～120埃。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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