[发明专利]双栅极沟槽式功率晶体管及其制造方法

摘要

本发明提供一种双栅极沟槽式功率晶体管及其制造方法。双栅极沟槽式功率晶体管的沟槽结构位于一磊晶层内，并至少包括深沟槽部及两个分别邻接于深沟槽部的两个相反侧的浅沟槽部，其中每一浅沟槽部内设有栅极结构，深沟槽部内设有遮蔽电极结构。栅极结构的栅极绝缘层至少包括一第一介电层、一第二介电层及一第三介电层，其中第二介电层夹设于第一介电层与第三介电层之间，并且部分栅极绝缘层与遮蔽电极结构的遮蔽介电层接触。

主权项

1.一种双栅极沟槽式功率晶体管，其特征在于，所述双栅极沟槽式功率晶体管包括：一基材；一磊晶层，所述磊晶层位于所述基材上，其中所述磊晶层定义至少一元件区域，且所述磊晶层具有一位于所述元件区域中的沟槽结构，其中所述沟槽结构包括一深沟槽部及两个分别邻接于所述深沟槽部的两个相反侧的浅沟槽部；两个栅极结构，所述两个栅极结构分别设置于两个所述浅沟槽部内，其中每一所述栅极结构包括一栅极绝缘层以及一栅极电极，其中所述栅极绝缘层顺形地覆盖于所对应的所述浅沟槽部的内壁面，以使所述栅极电极与所述磊晶层电性绝缘，且所述栅极绝缘层包括一第一介电层、一第二介电层及一第三介电层，其中所述第二介电层被夹设于所述第一介电层与所述第三介电层之间；一遮蔽电极结构，所述遮蔽电极结构位于所述深沟槽部中，其中所述遮蔽电极结构包括一遮蔽介电层及一遮蔽电极，其中所述遮蔽介电层顺形地覆盖所述深沟槽部的内壁面，以使所述遮蔽电极与所述磊晶层电性绝缘，并且位于所述遮蔽电极的两个相反侧的部分所述遮蔽介电层与位于两个所述浅沟槽部内的多个所述栅极绝缘层接触；一基体区，在所述磊晶层中形成所述基体区，并环绕两个所述栅极结构；以及一源极区，在所述基体区的上方形成所述源极区，其中，所述栅极电极具有靠近所述遮蔽电极的一第一侧并具有与所述第一侧相反的一第二侧，其中接触所述第一侧的栅极绝缘层的厚度小于接触所述第二侧的栅极绝缘层的厚度。