[发明专利]一种集成栅极驱动功率器件及其制备方法

摘要

本发明属于半导体功率器件技术领域，特别是涉及一种集成栅极驱动(IGDT)功率器件及其制备方法。本发明的集成栅极驱动(IGDT)功率器件是在现有的功率器件内集成双极结型晶体管和第一电阻，所述第一电阻设于功率器件的栅极金属垫与栅极之间、所述双极结型晶体管的基极与功率器件的栅极金属垫连接、所述双极结型晶体管的发射极与功率器件的栅极连接，且双极结型晶体管的集电极与功率器件的源极连接。本发明的集成栅极驱动(IGDT)功率器件具有栅电压负反馈、低电磁干扰、快速开关和高效率的特点。本发明提出的一种集成栅极驱动(IGDT)功率器件的制备方法，具有工艺过程简单、可靠和易于控制的优点。

主权项

1.一种集成栅极 驱动功率器件，包括：在半导体衬底的底部设有第一掺杂类型的漏极及位于该漏极之上的第一掺杂类型的衬底外延层；凹陷在所述衬底外延层内设有用于与衬底外延层杂质形成电荷平衡的第二掺杂类型的柱状掺杂区；所述衬底外延层和柱状掺杂区内设有第二掺杂类型的体区，在所述体区内设有第一掺杂类型的源极；所述衬底外延层之上设有栅介质层，所述栅介质层之上设有栅极和栅极金属垫，所述栅极金属垫与栅极之间设有第一电阻，所述栅极通过所述栅极金属垫与外部电路连接；其特征在于，还包括双极结型晶体管；所述双极结型晶体管的发射极与所述栅极连接；所述双极结型晶体管的基极与所述栅极金属垫连接；所述双极结型晶体管的集电极与所述源极连接；所述第二掺杂类型的柱状掺杂区内设有所述双极结型晶体管的基区，该基区内设有所述双极结型晶体管的发射区。