[发明专利]一种制备二维纳米材料的微米带或纳米带的方法

摘要

本发明公开了一种二维纳米材料的微米带或纳米带的制备方法。该方法相对于传统工艺制备的二维纳米材料的微米带或纳米带，无需采用光刻工艺，从而避免了其对光刻水平的依赖，并且可改善由光刻法制备微米带或纳米带造成的边缘粗糙问题。另外，通过控制光刻胶的厚度、显影液与光刻胶之间的温差，可以获得宽度和长度可控的二维纳米材料的微米带或纳米带。

主权项

1.一种二维纳米材料的微米带或纳米带的制备方法，包含如下步骤：1)在衬底表面生长二维纳米材料或将生长好的二维纳米材料转移到所需的衬底表面；2)将水溶性负性光刻胶旋涂在覆盖有二维纳米材料的衬底上，上述衬底保持室温，所述室温为18℃～30℃；3)将与水溶性负性光刻胶对应的水溶性显影液降温至4℃～16℃，然后将上述覆盖有二维纳米材料的衬底放入显影液中静置10s～100s，在衬底上会出现宽度和长度不同的光刻胶薄膜卷，定影并去除水分；4)利用上述光刻胶薄膜卷作为掩膜，等离子体刻蚀掉未被保护的二维纳米材料；5)去胶后，衬底上得到二维纳米材料的纳米带、微米带或纳米带与微米带的混合。