[发明专利]一种全碳基神经突触仿生器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201510608329.0 | 申请日： | 2015-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN105287046A | 公开（公告）日： | 2016-02-03 |
| 发明（设计）人： | 陈琳;孙清清;张卫 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | A61F2/02 | 分类号： | A61F2/02 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于人工神经技术领域，具体为一种全碳基神经突触仿生器件及其制造方法。本发明的全碳基神经突触仿生器件包括衬底、位于衬底之上的底电极、位于底电极之上的阻变功能层、以及位于阻变功能层之上的顶电极，其中，所述底电极和顶电极为石墨烯，所述阻变功能层为氧化石墨烯。本发明的全碳基神经突触仿生器件以石墨烯作为器件的底电极和顶电极，以氧化石墨烯作为阻变功能层，可以实现对神经突触的学习与记忆功能的模拟。另外，可以通过调节上、下两层石墨烯带的宽度对器件的尺寸进行精确控制，降低功耗，同时提高集成密度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 全碳基 神经 突触 仿生 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种全碳基神经突触仿生器件，包括衬底、位于衬底之上的底电极、位于底电极之上的阻变功能层，以及位于阻变功能层之上的顶电极，其特征在于，所述底电极和顶电极为石墨烯；所述阻变功能层为氧化石墨烯。
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