[发明专利]高K金属栅极结构的制造方法在审
| 申请号： | 201510608769.6 | 申请日： | 2015-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN105161408A | 公开（公告）日： | 2015-12-16 |
| 发明（设计）人： | 鲍宇 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L29/423 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体领域，尤其涉及高K金属栅极结构的制造方法。本发明的方法包括：提供一衬底，在衬底上形成侧墙与伪栅极，一次沉积一通孔刻蚀停止层、层间绝缘氧化层于侧墙、伪栅极、衬底上；曝露通孔刻蚀停止层，并刻蚀通孔刻蚀停止层；沉积一牺牲层，并刻蚀牺牲层形成牺牲侧墙；移除伪栅极，形成凹槽，并进行金属栅极填充。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 栅极 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
高K金属栅极结构的制造方法，其特征在于，所述方法包括：提供一衬底，在所述衬底上形成侧墙与伪栅极，一次沉积一通孔刻蚀停止层、层间绝缘氧化层于所述侧墙、所述伪栅极、所述衬底上；曝露所述通孔刻蚀停止层，并刻蚀所述通孔刻蚀停止层；沉积一牺牲层，并刻蚀所述牺牲层形成牺牲侧墙；移除所述伪栅极，形成凹槽，并进行金属栅极填充。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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